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HFIELDEV

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • HFIELDEV
    HFIELDEV

    HFIELDEV

  • 深圳市湘達電子有限公司
    深圳市湘達電子有限公司

    聯系人:朱平

    電話:0755-83229772-83202753

    地址:辦公地址 幫我改成 深圳市福田區紅荔路上步工業區201棟東座4樓F02室

  • 8000

  • MICROCHIP/微芯

  • Analog

  • 21+

  • -
  • 百分百進口原裝現貨,價格有優勢。

  • HFIELDEV
    HFIELDEV

    HFIELDEV

  • 深圳市德江源電子有限公司
    深圳市德江源電子有限公司

    聯系人:張先生

    電話:8296641615986789713

    地址:深圳市福田區華強北街道振華路100號深紡大廈C座1A層1A621室

    資質:營業執照

  • 8000

  • Mrochip

  • Analog

  • 16+

  • -
  • 只做原裝,假一賠十

  • HFIELDEV
    HFIELDEV

    HFIELDEV

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室

    資質:營業執照

  • 5000

  • Microchip Technology

  • 標準封裝

  • 16+

  • -
  • 百分百原裝 假一罰十

  • HFIELDEV
    HFIELDEV

    HFIELDEV

  • 深圳市興合盛科技發展有限公司
    深圳市興合盛科技發展有限公司

    聯系人:銷售部經理:馬先生

    電話:0755-8335078918923859456

    地址:深圳市福田區華強北上步工業區8棟829/北京市海淀區中關村中銀街168-9號/香港辦事處:香港大理石

    資質:營業執照

  • 256

  • Microchip Technology

  • 標準封裝

  • 23+

  • -
  • 真實的資源竭誠服務您!

  • 1/1頁 40條/頁 共6條 
  • 1
HFIELDEV PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 磁傳感器開發工具 Magnetic Field Noise Brd
  • RoHS
  • 制造商
  • Maxim Integrated
  • 工具用于評估
  • 接口類型
  • 工作電壓
HFIELDEV 技術參數
  • HFI-201209-R15J 功能描述:150nH Unshielded Wirewound Inductor 300mA 1 Ohm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:jaro components inc. 系列:HFI 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 類型:繞線 材料 - 磁芯:陶瓷 電感:150nH 容差:±5% 額定電流:300mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻(DCR):1 歐姆最大 不同頻率時的 Q 值:13 @ 50MHz 頻率 - 自諧振:500MHz 等級:- 工作溫度:- 頻率 - 測試:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805(2012 公制) 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm) 高度 - 安裝(最大值):0.043"(1.10mm) 標準包裝:10 HFI-201209-R10J 功能描述:100nH Unshielded Wirewound Inductor 300mA 900 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:jaro components inc. 系列:HFI-201209 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 類型:繞線 材料 - 磁芯:陶瓷 電感:100nH 容差:±5% 額定電流:300mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻(DCR):900 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:18 @ 100MHz 頻率 - 自諧振:600MHz 等級:- 工作溫度:- 頻率 - 測試:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805(2012 公制) 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm) 高度 - 安裝(最大值):0.043"(1.10mm) 標準包裝:10 HFI-201209-3N9J 功能描述:3.9nH Unshielded Multilayer Inductor 300mA 150 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:jaro components inc. 系列:HFI 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 類型:多層 材料 - 磁芯:陶瓷 電感:3.9nH 容差:±5% 額定電流:300mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻(DCR):150 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:12 @ 100MHz 頻率 - 自諧振:4GHz 等級:- 工作溫度:- 頻率 - 測試:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805(2012 公制) 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.047" 寬(2.00mm x 1.20mm) 高度 - 安裝(最大值):0.043"(1.10mm) 標準包裝:10 HFI-201209-2N2S 功能描述:2.2nH Unshielded Wirewound Inductor 300mA 100 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:jaro components inc. 系列:HFI 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 類型:繞線 材料 - 磁芯:陶瓷 電感:2.2nH 容差:±0.3nH 額定電流:300mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻(DCR):100 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:10 @ 100MHz 頻率 - 自諧振:4GHz 等級:- 工作溫度:- 頻率 - 測試:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805(2012 公制) 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm) 高度 - 安裝(最大值):0.043"(1.10mm) 標準包裝:10 HFI-201209-1N8S 功能描述:1.8nH Unshielded Wirewound Inductor 300mA 100 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:jaro components inc. 系列:HFI 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 類型:繞線 材料 - 磁芯:陶瓷 電感:1.8nH 容差:±0.3nH 額定電流:300mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻(DCR):100 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:10 @ 100MHz 頻率 - 自諧振:4GHz 等級:- 工作溫度:- 頻率 - 測試:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805(2012 公制) 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm) 高度 - 安裝(最大值):0.043"(1.10mm) 標準包裝:10 HFMD18105 HFMD1884 HFMD1885 HFMD20105 HFMD20106 HFMD2085 HFMD2086 HFMD2088 HFMD22105 HFMD2286 HFMDT18164 HFMDT18165 HFMDT18184 HFMDT18185 HFMDT18186 HFMDT20165 HFMDT20166 HFMDT20168
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