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參數資料
| 型號： | H5N2508DS |
| 英文描述： | Datasheet|ADE-208-1377|MAR.20.01|58K |
| 中文描述： | 技術資料|腺- 208 - 1377 | MAR.20.01 | 5.8萬 |
| 文件頁數： | 1/10頁 |
| 文件大小： | 108K |
| 代理商： | H5N2508DS |
H5N2503P
Silicon N Channel MOS FET
High Speed Power Switching
ADE-208-1374A (Z)
2nd. Edition
Jun. 2002
Features
Low on-resistance: R
DS(on)
= 0.04
typ.
Low leakage current: I
DSS
= 1 μA max (at V
DS
= 250 V)
High speed switching: tf = 190 ns typ (at V
GS
= 10 V, V
DD
= 125 V, I
D
= 25 A)
Low gate charge: Qg = 140 nC typ (at V
DD
= 200 V, V
GS
= 10 V, I
D
= 50 A)
Avalanche ratings
Outline
TO-3P
1
2
3
D
S
G
1. Gate
2. Drain (Flange)
3. Source
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| H5N2510DL | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| H5N2510DL-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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