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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HAT2244WP |
| 廠(chǎng)商： | Renesas Technology Corp. |
| 英文描述： | Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
| 中文描述： | 硅?通道功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管電源開(kāi)關(guān) |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/8頁(yè) |
| 文件大小： | 117K |
| 代理商： | HAT2244WP |
REJ03G1549-0400 Rev.4.00 Jun 13, 2007
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HAT2244WP
Silicon N Channel Power MOS FET
Power Switching
REJ03G1549-0400
Rev.4.00
Jun 13, 2007
Features
Capable of 4.5 V gate drive
Low drive current
High density mounting
Low on-resistance
R
DS(on)
= 10 m
typ. (at V
GS
= 10 V)
Outline
RENESAS Package code: PWSN0008DA-A
(Package name: WPAK)
G
D
S S S
1
2 3
D D D
4
5
6 7 8
1, 2, 3 Source
4 Gate
5, 6, 7, 8 Drain
8
7
6
5
2 1
3
4
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Unit
V
V
A
A
A
A
mJ
W
°C/W
°
C
°
C
Item
Symbol
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(pulse)
I
DR
I
AP
Note 2
E
AR
Note 2
Pch
Note3
θ
ch-c
Note3
Tch
Tstg
Ratings
80
±20
30
120
30
25
83
25
5
150
–55 to +150
Drain to source voltage
Gate to source voltage
Drain current
Drain peak current
Body-drain diode reverse drain current
Avalanche current
Avalanche energy
Channel dissipation
Channel to Case Thermal Impedance
Channel temperature
Storage temperature
Notes: 1. PW
≤
10
μ
s, duty cycle
≤
1%
2. Value at Tch = 25°C, Rg
≥
50
3. Tc = 25°C
Note1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HAT2299WP | Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
| HAT3001F | |
| HAT3004R | |
| HAT3006R | TRANSISTOR | MOSFET | PAIR | COMPLEMENTARY | 30V V(BR)DSS | 6.5A I(D) | SO |
| HAT3010R | |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HAT2244WP_10 | 制造商:RENESAS 制造商全稱(chēng):Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
| HAT2244WP-EL-E | 功能描述:MOSFET N-CH 80V 30A WPAK RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| HAT2261H-EL-E | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 45A LFPAK RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| HAT2265H | 制造商:RENESAS 制造商全稱(chēng):Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
| HAT2265H-EL-E | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 55A 5LFPAK RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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