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參數資料
| 型號： | HER608-T3 |
| 廠商： | Won-Top Electronics Co., Ltd. |
| 英文描述： | 6.0A HIGH EFFICIENCY RECTIFIER |
| 中文描述： | 6.0a下高速整流二極管 |
| 文件頁數： | 2/3頁 |
| 文件大小： | 48K |
| 代理商： | HER608-T3 |
HER601
–
HER608
2 of
3
2002
Won-Top Electronics
0.01
0.1
1.0
10
100
0.6
1.0
1.4
1.8
T = 25 C
Pulse width = 300 s
2% duty cycle
μ
V , INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)
Fig. 2 Typical Forward Characteristics
I
F
HER6
0
1 - 604
HER606 - HER6
0
8
HER6
0
5
10
100
200
1
10
100
I
,
F
NUMBER OF CYCLES AT 60Hz
Fig. 3 Peak Forward Surge Current
8.3ms single half
sine-wave
50V DC
Approx
50
NI (Non-inductive)
10
NI
1.0
NI
Oscilloscope
(Note 1)
Pulse
Generator
(Note 2)
Device
Under
Test
t
rr
Set time base for 5/10ns/cm
+0.5A
0A
-0.25A
-1.0A
Notes:
1. Rise Time = 7.0ns max. Input Impedance = 1.0M , 22pF.
2. Rise Time = 10ns max. Input Impedance = 50 .
Fig. 5 Reverse Recovery Time Characteristic and Test Circuit
(+)
(+)
(-)
(-)
1
0
10
0
100
0
1
10
100
C
j
V , REVERSE VOLTAGE (V)
Fig. 4 Typical Junction Capacitance
HER6
0
1 - HER605
HER6
0
6 - HER608
0
2
4
6
8
0
25
50
75
100
125
150
175
I
,
(
T , AMBIENT TEMPERATURE ( C)
Fig. 1 Forward Current Derating Curve
Single phase half wave
Resistive or Inductive load
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| HF10-12S | NPN Silicon RF Power Transistor(Ic:4.5 A,Vcbo: 36 V,Vceo: 18 V,Vebo: 4.0 V)(NPN 硅型射頻功率晶體管(Ic:4.5 A,Vcbo: 36 V,Vceo: 18 V,Vebo: 4.0 V)) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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