欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

參數資料
型號: HFA3046
廠商: Intersil Corporation
英文描述: Ultra High Frequency Transistor Arrays(超高頻晶體管陣列)
中文描述: 超高頻晶體管陣列(超高頻晶體管陣列)
文件頁數: 9/13頁
文件大小: 299K
代理商: HFA3046
9
FN3076.13
December 21, 2005
FIGURE 3. NPN DC CURRENT GAIN vs COLLECTOR CURRENT
FIGURE 4. NPN GAIN BANDWIDTH PRODUCT vs COLLECTOR
CURRENT (UHF 3 x 50 WITH BOND PADS)
FIGURE 5. PNP COLLECTOR CURRENT vs COLLECTOR TO
EMITTER VOLTAGE
FIGURE 6. PNP COLLECTOR CURRENT AND BASE
CURRENT vs BASE TO EMITTER VOLTAGE
FIGURE 7. PNP DC CURRENT GAIN vs COLLECTOR
CURRENT
FIGURE 8. PNP GAIN BANDWIDTH PRODUCT vs COLLECTOR
CURRENT (UHF 3 x 50 WITH BOND PADS)
Typical Performance Curves
(Continued)
COLLECTOR CURRENT (A)
V
CE
= 3V
160
140
120
D
1
μ
100
80
60
40
20
0
10
μ
100
μ
1m
10m
100m
COLLECTOR CURRENT (mA)
V
CE
= 1V
1.0
10
100
10.0
8.0
6.0
G
0.1
V
CE
= 5V
V
CE
= 3V
4.0
2.0
0
I
B
= -400
μ
A
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE (V)
I
B
= -80
μ
A
-1
-2
-3
-4
-5
0
-25
-20
-15
-10
-5
C
0
I
B
= -320
μ
A
I
B
= -240
μ
A
I
B
= -160
μ
A
BASE TO EMITTER VOLTAGE (V)
I
B
V
CE
= -3V
-0.6
-0.7
-0.8
-0.9
-1.0
-100m
-10m
-1m
-100
μ
C
I
C
-0.5
-10
μ
-1
μ
-100n
-10n
-1n
A
COLLECTOR CURRENT (A)
160
140
120
D
-1
μ
100
80
60
40
20
0
-10
μ
-100
μ
-1m
-10m
-100m
V
CE
= -3V
COLLECTOR CURRENT (mA)
V
CE
= -5V
5.0
G
4.0
3.0
2.0
1.0
-0.1
-1.0
-10
-100
V
CE
= -3V
V
CE
= -1V
HFA3046, HFA3096, HFA3127, HFA3128
相關PDF資料
PDF描述
HFA30PA60CPBF Ultrafast Soft Recovery Dioe
HFB30PA60CPBF Ultrafast Soft Recovery Dioe
HFA30TA60C Ultrafast, Soft Recovery Diode
HFA320NJ40C HEXFRED Ultrafast, Soft Recovery Diode
HFA32PA120C Ultrafast, Soft Recovery Diode
相關代理商/技術參數
參數描述
HFA3046_05 制造商:INTERSIL 制造商全稱:Intersil Corporation 功能描述:Ultra High Frequency Transistor Arrays
HFA3046B 功能描述:IC TRANSISTOR ARRAY NPN 14-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):4.7V 頻率 - 轉換:47GHz 噪聲系數(dB典型值@頻率):0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA,3V 電流 - 集電極 (Ic)(最大):45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD,扁平引線 供應商設備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR
HFA3046B96 功能描述:IC TRANS ARRAY NPN DIFF 14-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):4.7V 頻率 - 轉換:47GHz 噪聲系數(dB典型值@頻率):0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA,3V 電流 - 集電極 (Ic)(最大):45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD,扁平引線 供應商設備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR
HFA3046BZ 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 W/ANNEAL TXARRAY 3X NPN + NPN DIFF PAIR RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
HFA3046BZ96 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 W/ANNEAL TXARRAY 3X NPN + NPN DIFF PAIR RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
主站蜘蛛池模板: 万盛区| 晋江市| 中卫市| 兴和县| 随州市| 定安县| 璧山县| 凭祥市| 肇庆市| 五指山市| 沙洋县| 西青区| 焦作市| 东辽县| 嘉黎县| 北京市| 安福县| 临桂县| 扎鲁特旗| 黑山县| 梓潼县| 隆德县| 北票市| 逊克县| 内黄县| 新密市| 原阳县| 镇赉县| 阿合奇县| 刚察县| 富顺县| 保康县| 抚远县| 台湾省| 镇雄县| 长葛市| 余庆县| 当涂县| 江源县| 武汉市| 吐鲁番市|