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參數資料
型號: HGTD2N120BNS
廠商: HARRIS SEMICONDUCTOR
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 12A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT(12A, 1200V,NPT系列N溝道絕緣柵雙極型晶體管)
中文描述: 2 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-252AA
文件頁數: 6/7頁
文件大小: 85K
代理商: HGTD2N120BNS
6
FIGURE 17. NORMALIZED TRANSIENT THERMAL RESPONSE, JUNCTION TO CASE
Test Circuit and Waveforms
FIGURE 18. INDUCTIVE SWITCHING TEST CIRCUIT
FIGURE 19. SWITCHING TEST WAVEFORMS
Typical Performance Curves
Unless Otherwise Specified
(Continued)
t
1
t
2
P
D
SINGLE PULSE
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
t
1
, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
10
-2
10
-1
10
0
10
-5
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
-4
Z
θ
J
,
0.01
DUTY FACTOR, D = t
1
/ t
2
PEAK T
J
= (P
D
X Z
θ
JC
X R
θ
JC
) + T
C
R
G
= 51
L = 5mH
V
DD
= 960V
+
-
HGTP2N120BND
t
fI
t
d(OFF)I
t
rI
t
d(ON)I
10%
90%
10%
90%
V
CE
I
CE
V
GE
E
OFF
E
ON2
HGTP2N120BN, HGTD2N120BNS, HGT1S120BNS
相關PDF資料
PDF描述
HGTG20N120CND 63A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
HGTG20N120E2 34A, 1200V N-Channel IGBT
HGTG20N120 34A, 1200V N-Channel IGBT
HGTG20N50C1D 36 MACROCELL 3.3 VOLT ISP CPLD
HGTG20N60B3D 40A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode(40A, 600V,N溝道絕緣柵雙極晶體管(帶反并行超快速二極管))
相關代理商/技術參數
參數描述
HGTD2N120BNS9A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 12A I(C) | TO-252AA
HGTD2N120CNS 制造商:INTERSIL 制造商全稱:Intersil Corporation 功能描述:13A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT
HGTD2N120CNS9A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 13A I(C) | TO-252AA
HGTD3M60C3 制造商:Harris Corporation 功能描述:
HGTD3N60A4 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:600V, SMPS Series N-Channel IGBT
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