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參數資料
| 型號： | HGTG30N60B3 |
| 廠商： | INTERSIL CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 60A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT(60A, 600V, UFS系列 N溝道絕緣柵雙極型晶體管) |
| 中文描述： | 60 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
| 文件頁數： | 6/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 114K |
| 代理商： | HGTG30N60B3 |
6
FIGURE 16. NORMALIZED TRANSIENT THERMAL RESPONSE, JUNCTION TO CASE
Test Circuit and Waveforms
FIGURE 17. INDUCTIVE SWITCHING TEST CIRCUIT
FIGURE 18. SWITCHING TEST WAVEFORMS
Typical Performance Curves
Unless Otherwise Specified
(Continued)
Z
θ
J
,
t
1
, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
10
-5
10
-3
10
0
10
1
10
-4
t
1
t
2
P
D
DUTY FACTOR, D = t
1
/ t
2
PEAK T
J
= (P
D
X Z
θ
JC
X R
θ
JC
) + T
C
10
-1
10
-2
SINGLE PULSE
10
0
10
-1
10
-2
0.50
0.20
0.05
0.01
0.10
0.02
R
G
= 3
L = 1mH
V
DD
= 480V
+
-
HGTG30N60B3D
t
fI
t
d(OFF)I
t
rI
t
d(ON)I
10%
90%
10%
90%
V
CE
I
CE
V
GE
E
OFF
E
ON2
HGTG30N60B3
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| HGTG30N60B3_NL | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| HGTG30N60B3D | 功能描述:IGBT 晶體管 600V IGBT UFS N-Channel RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| HGTG30N60B3D | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:IGBTN CH600V30ATO-247 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:IGBT,N CH,600V,30A,TO-247 |
| HGTG30N60B3D | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:SEMICONDUCTOR |
| HGTG30N60B3D_04 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:60A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode |
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