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參數資料
| 型號： | HGTG40N60B3 |
| 廠商： | HARRIS SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 70A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT(70A, 600V，N溝道絕緣柵雙極晶體管) |
| 中文描述： | 70 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
| 文件頁數： | 6/7頁 |
| 文件大小： | 76K |
| 代理商： | HGTG40N60B3 |
6
FIGURE 16. NORMALIZED TRANSIENT THERMAL RESPONSE, JUNCTION TO CASE
Test Circuit and Waveform
FIGURE 17. INDUCTIVE SWITCHING TEST CIRCUIT
FIGURE 18. SWITCHING TEST WAVEFORM
Typical Performance Curves
(Unless Otherwise Specified)
(Continued)
10
-5
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-4
t
1
, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
10
-1
Z
θ
J
,
0.5
SINGLE PULSE
0.01
0.1
0.05
0.02
t
2
P
D
t
1
PEAK T
J
= (P
D
X Z
θ
JC
X R
θ
JC
) + T
C
DUTY FACTOR, D = t
1
/ t
2
10
0
10
-2
0.2
R
G
= 3
L = 100
μ
H
V
DD
= 480V
+
-
RHRP3060
t
fI
t
d(OFF)I
t
rI
t
d(ON)I
10%
90%
10%
90%
V
CE
I
CE
V
GE
E
OFF
E
ON
HGTG40N60B3
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HI-1567CDI | 5V MONOLITHIC DUAL TRANSCEIVERS |
| HI-1567CDIM | 5V MONOLITHIC DUAL TRANSCEIVERS |
| HI-1567CDIT | 5V MONOLITHIC DUAL TRANSCEIVERS |
| HI-1567PCI | 5V MONOLITHIC DUAL TRANSCEIVERS |
| HI-1567PCIT | 5V MONOLITHIC DUAL TRANSCEIVERS |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| HGTG40N60B3 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:IGBT IC |
| HGTG40N60B3_NL | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| HGTG40N60B3_Q | 功能描述:IGBT 晶體管 600V N-Channel IGBT UFS Series RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| HGTG40N60B3R4729 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| HGTG40N60C3 | 功能描述:IGBT 晶體管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
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