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參數資料
| 型號： | HN1B01F |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | NPN EPITAXIAL TYPE (AUDIO FREQUENCY GENERAL PURPOSE AMPLIFIER APPLICATIONS) |
| 中文描述： | npn型外延式（音頻通用放大器應用） |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 270K |
| 代理商： | HN1B01F |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HN1B04FE | Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications |
| HN1B04FU | NPN EPITAXIAL TYPE (AUDIO FREQUENCY GENERAL PURPOSE AMPLIFIER APPLICATIONS) |
| HN1B04F | Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications |
| HN1B04F_07 | Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications |
| HN1B26FS | General-Purpose Amplifier Applications |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| HN1B01F_07 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Audio-Frequency General-Purpose Amplifier Applications |
| HN1B01FDW1T1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 60V Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| HN1B01FDW1T1/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Complementary Dual General Purpose Amplifier Transistor |
| HN1B01FDW1T1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 60V Dual Complementary RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| HN1B01FGR | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PAIR | COMPLEMENTARY | 50V V(BR)CEO | 150MA I(C) | TSOP |
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