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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HS-6664RH |
| 廠商： | Intersil Corporation |
| 英文描述： | Radiation Hardened 8K x 8 CMOS PROM |
| 中文描述： | 輻射加固8K的× 8的CMOS胎膜早破 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 8/14頁(yè) |
| 文件大小： | 222K |
| 代理商： | HS-6664RH |
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847
HS-6664RH
Metallization Mask Layout
HS-6664RH
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
V
V
V
A
A
A
D
D
D
G
D
D
D
D
D
E
A
V
Metallization Topology
DIE DIMENSIONS:
271 x 307 x 19
±
1mils
METALLIZATION:
M1: 6k
±
1k
Si/Al/Cu
2k
±
500
TiW
M2: 10k
±
2k
Si/Al/Cu
GLASSIVATION:
Type: SiO
2
Thickness: 8k
±
1k
WORST CASE CURRENT DENSITY:
2 x 10
5
A/cm
2
SUBSTRATE POTENTIAL:
VDD
TRANSISTOR COUNT:
110, 874
GATE COUNT:
27, 719 (Based on 2-Input NAND)
Spec Number
518741
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HS-801 | ECL |
| HS-807 | ECL |
| HS-809 | ECL |
| HS-80A | ECL |
| HS-80B | ECL |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HS-6664RH_00 | 制造商:INTERSIL 制造商全稱:Intersil Corporation 功能描述:Radiation Hardened 8K x 8 CMOS PROM |
| HS-6664RH-T | 制造商:INTERSIL 制造商全稱:Intersil Corporation 功能描述:Radiation Hardened 8K x 8 CMOS PROM |
| HS667 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Peripheral IC |
| HS668 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Peripheral IC |
| HS669 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Peripheral IC |
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