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參數資料
| 型號： | HSB649T |
| 廠商： | HSMC CORP. |
| 英文描述： | SILICON PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| 中文描述： | 進步黨外延硅平面晶體管 |
| 文件頁數： | 2/4頁 |
| 文件大小： | 54K |
| 代理商： | HSB649T |
HI-SINCERITY
MICROELECTRONICS CORP.
Spec. No. : HT200103
Issued Date : 2001.12.01
Revised Date : 2005.12.02
Page No. : 2/4
HSB649T
HSMC Product Specification
Characteristics Curve
Current Gain & Collector Current
10
100
1000
1
10
100
1000
10000
Collector Current-I
C
(mA)
h
hFE @ V
CE
=5V
25
o
C
75
o
C
125
o
C
Saturation Voltage & Collector Current
10
100
1000
10000
1
10
100
1000
10000
Collector Current-I
C
(mA)
S
25
o
C
75
o
C
125
o
C
V
CE(sat)
@ I
C
=10I
B
Saturation Voltage & Collector Current
100
1000
1
10
100
1000
10000
Collector Current-I
C
(mA)
S
125
o
C
75
o
C
25
o
C
V
BE(ON)
@ V
CE
=5V
Capacitance & Reverse-Biased Voltage
1
10
100
0.1
1
10
100
Reverse Biased Voltage (V)
C
Cob
Safe Operating Area
0.01
0.1
1
10
1
10
100
1000
Forward Voltage-V
CE
(V)
C
C
PT=1ms
PT=100ms
PT=1s
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HSC2228Y | NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| HSC2240 | NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| HSC2625 | NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| HSC2682 | NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| HSC3417 | NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| HSB-657I | 制造商:AAEON 制造商全稱:AAEON 功能描述:VIA C3 Low Power Processor |
| HSB-657I-A10 | 制造商:AAEON 制造商全稱:AAEON 功能描述:VIA C3 Low Power Processor |
| HSB-657I-A10-01 | 制造商:AAEON 制造商全稱:AAEON 功能描述:VIA C3 Low Power Processor |
| HSB-657I-A10-03 | 制造商:AAEON 制造商全稱:AAEON 功能描述:VIA C3 Low Power Processor |
| HSB-657I-A10-04 | 制造商:AAEON 制造商全稱:AAEON 功能描述:VIA C3 Low Power Processor |
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