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參數資料
| 型號： | HSC3417 |
| 廠商： | HSMC CORP. |
| 英文描述： | NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| 中文描述： | 瑞展晶體管 |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 34K |
| 代理商： | HSC3417 |
HI-SINCERITY
MICROELECTRONICS CORP.
HSC3417
NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Spec. No. : HE6618-C
Issued Date : 1994.05.12
Revised Date : 2000.10.01
Page No. : 1/3
HSMC Product Specification
Features
High–Definition CRT Display Video Output Applications
High Breakdown Voltage: BVCEO=300V
Absolute Maximum Ratings
(Ta=25
°
C)
Maximum Temperatures
Storage Temperature............................................................................................ -50 ~ +150
°
C
Junction Temperature................................................................................... +150
°
C Maximum
Maximum Power Dissipation
Total Power Dissipation (Ta=25
°
C)................................................................................... 1.2 W
Total Power Dissipation (Tc=25
°
C) ...................................................................................... 7 W
Maximum Voltages and Currents
BVCBO Collector to Base Voltage.................................................................................... 300 V
BVCEO Collector to Emitter Voltage................................................................................. 300 V
BVEBO Emitter to Base Voltage........................................................................................... 5 V
IC Collector Current....................................................................................................... 100 mA
Electrical Characteristics
(Ta=25
°
C)
Symbol
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
*VCE(sat)
*VBE(sat)
*hFE
fT
Cob
Min.
300
300
5
-
-
-
-
40
-
-
Typ.
-
-
-
-
-
-
-
-
70
2.6
Max.
-
-
-
100
100
600
1
320
-
-
Unit
V
V
V
nA
nA
mV
V
Test Conditions
IC=100uA
IC=1mA
IE=10uA
VCB=200V
VEB=4V
IC=20mA, IB=2mA
IC=20mA, IB=2mA
IC=10mA, VCE=10V
IC=10mA ,VCE=30V, f=100MHz
VCB=30V, f=1MHz
*Pulse Test : Pulse Width
≤
380us, Duty Cycle
≤
2%
MHz
pF
Classification Of hFE
Rank
Range
C
D
E
F
40-80
60-120
100-200
160-320
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HSC3953S | NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| HSC3953 | NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| HSC4242 | NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| HSC5094 | Power Resistor; Series:CW; Resistance:39ohm; Resistance Tolerance: 5%; Power Rating:5W; Operating Temperature Range:-65 C to ? C; Resistor Element Material:Ceramic; Temperature Coefficient:30 ppm RoHS Compliant: No |
| HSC945 | NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| HSC34FR250 | 制造商:Burndy 功能描述:250/'RL CLR PVC HEAT SHRK |
| HSC34T1200PF | 制造商:Burndy 功能描述:100' 3/4" CLR HT SHRINK |
| HSC35DRAH | 功能描述:CONN EDGECARD 70POS R/A .100 SLD RoHS:是 類別:連接器，互連式 >> Card Edge 系列:- 標準包裝:1 系列:- 卡類型:非指定 - 雙邊 類型:母頭 Number of Positions/Bay/Row:6 位置數:12 卡厚度:0.062"（1.57mm） 行數:2 間距:0.100"（2.54mm） 特點:- 安裝類型:通孔 端子:焊接 觸點材料:銅鈹 觸點表面涂層:金 觸點涂層厚度:10µin（0.25µm） 觸點類型：:全波紋管 顏色:藍 包裝:管件 法蘭特點:- 材料 - 絕緣體:聚對苯二甲酸丁二酯（PBT） 工作溫度:-65°C ~ 125°C 讀數:雙 |
| HSC35DRAH-S734 | 功能描述:CONN EDGECARD 70POS .100 R/A PCB RoHS:是 類別:連接器，互連式 >> Card Edge 系列:- 標準包裝:1 系列:- 卡類型:非指定 - 雙邊 類型:母頭 Number of Positions/Bay/Row:36 位置數:72 卡厚度:0.093"（2.36mm） 行數:2 間距:0.156"（3.96mm） 特點:- 安裝類型:通孔，直角 端子:焊接 觸點材料:磷青銅 觸點表面涂層:金 觸點涂層厚度:10µin（0.25µm） 觸點類型：:環形波紋管 顏色:綠 包裝:托盤 法蘭特點:- 材料 - 絕緣體:聚苯硫醚（PPS） 工作溫度:-65°C ~ 125°C 讀數:雙 |
| HSC35DRAI | 功能描述:CONN EDGECARD 70POS R/A .100 SLD RoHS:是 類別:連接器，互連式 >> Card Edge 系列:- 標準包裝:1 系列:- 卡類型:非指定 - 雙邊 類型:母頭 Number of Positions/Bay/Row:12 位置數:24 卡厚度:0.062"（1.57mm） 行數:2 間距:0.100"（2.54mm） 特點:卡擴展器 安裝類型:板邊緣，跨騎式安裝 端子:焊接 觸點材料:磷青銅 觸點表面涂層:錫 觸點涂層厚度:100µin（2.54µm） 觸點類型：:全波紋管 顏色:藍 包裝:管件 法蘭特點:頂部安裝開口，螺紋插件，4-40 材料 - 絕緣體:聚對苯二甲酸丁二酯（PBT） 工作溫度:-65°C ~ 125°C 讀數:雙 |
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