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參數資料
| 型號： | HSC5094 |
| 廠商： | HSMC CORP. |
| 英文描述： | Power Resistor; Series:CW; Resistance:39ohm; Resistance Tolerance: 5%; Power Rating:5W; Operating Temperature Range:-65 C to ? C; Resistor Element Material:Ceramic; Temperature Coefficient:30 ppm RoHS Compliant: No |
| 中文描述： | NPN硅雙極型晶體管 |
| 文件頁數： | 1/7頁 |
| 文件大小： | 60K |
| 代理商： | HSC5094 |
HI-SINCERITY
MICROELECTRONICS CORP.
HSC5094
NPN SILICON BIPOLAR TRANSISTOR
Spec. No. : HN200103
Issued Date : 1999.08.01
Revised Date : 2002.10.25
Page No. : 1/7
HSC5094
HSMC Product Specification
Description
The HSC5094 is a NPN Silicon Transistor designed for low noise
amplifier at VHF, UHF and CATV band.
Features
Low Noise and High Gain: NF=1.4dB, Ga=12dB @ V
CE
=2V, Ic=4.2mA, f=0.9GHz
High Power Gain: MAG=13.5dB @ V
CE
=5V, Ic =4.5mA, f=0.9GHz
Applications
Low noise and high gain amplifiers
Oscillator buffer amplifiers
Electrical Characteristics
Maximum Ratings (Ta=25
°
C)
Parameters
Collector-Emitter Breakdown Voltage
Collector-Base Breakdown Voltage
Emitter-Base Breakdown Voltage
Collector Current
Collector Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
* Note: Here we define the point where the DC current gain drops off.
Symbol
V
CEO
V
CBO
Min.
-
-
-
-
-
-
-50
Typ.
10
18
2.5
*20
150
125
-
Max.
-
-
-
-
-
-
125
Unit
V
V
V
mA
mW
°
C
°
C
V
EBO
@ I
E
=100uA
I
C
P
C
T
j
T
stg
Characterization Information (Ta=25
°
C)
Parameters
Conditions
Symbol
I
CBO
I
EBO
h
FE
Min
-
-
50
-
-
-
-
-
-
-
-
Typ.
-
-
80
7.6
9
1.4
1.6
12
13.5
12.8
13.5
Max
1
1
200
-
-
-
-
-
-
-
-
Unit
uA
uA
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
DC Current Gain
V
CB
=3V
V
EB
=1V
V
CE
=2V, I
C
=1mA
V
CE
=1V, I
C
=10mA
V
CE
=3V, I
C
=12mA
V
CE
=2V, I
C
=4.2mA, f =0.9GHz
V
CE
=5V, I
C
=4.5mA, f =0.9GHz
V
CE
=2V, I
C
=4.2mA, f =0.9GHz
V
CE
=5V, I
C
=4.5mA, f =0.9GHz
V
CE
=2V, I
C
=4.2mA, f =0.9GHz
V
CE
=5V, I
C
=4.5mA, f =0.9GHz
GHz
GHz
dB
dB
dB
dB
dB
dB
Cutoff Frequency
f
T
Minimum Noise Figure
NF
min
Associated Gain
G
A
Insertion Gain |S
21
|
2
in 50 Ohm system
|S
21
|
2
SOT-23
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