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參數資料
| 型號： | HUF76129S3ST |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 56A I(D) | TO-263AB |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 30V的五（巴西）直|第56A條（?。﹟對263AB |
| 文件頁數： | 1/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 673K |
| 代理商： | HUF76129S3ST |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HUF76132S3ST | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-263AB |
| HUF76132SK8T | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 11.5A I(D) | SO |
| HUF76137S3ST | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-263AB |
| HUF76139S3 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-262AA |
| HUF76139S3ST | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-263AB |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| HUF76129S3STK | 功能描述:MOSFET 56a 30V N-Ch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| HUF76131SK8 | 功能描述:MOSFET 10a 30V 0.013 Ohm 1Ch HS Logic Gate RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| HUF76131SK8T | 功能描述:MOSFET USE 512-FDS6690A 1Ch HS Logic Gate RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| HUF76131SK8T_NB82084 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| HUF76132P3 | 功能描述:MOSFET 75a 30V N-Channel Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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