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參數資料
| 型號： | HUF76639P3T |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 51A I(D) | TO-220AB |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 100V的五（巴西）直| 51A條（丁）| TO - 220AB現有 |
| 文件頁數： | 1/11頁 |
| 文件大小： | 673K |
| 代理商： | HUF76639P3T |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HUF76639S3ST | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 51A I(D) | TO-263AB |
| HUF76645S3ST | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-263AB |
| HUFA75639S3R4851 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 115V V(BR)DSS | 56A I(D) | TO-262AA |
| HUFA75639S3ST | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 56A I(D) | TO-263AB |
| HUFA75842S3ST | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 43A I(D) | TO-263AB |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| HUF76639S3S | 功能描述:MOSFET 50a 100V 0.027 Ohm Logic Level N-Ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| HUF76639S3ST | 功能描述:MOSFET 50a 100V 0.027 Ohm Logic Level N-Ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| HUF76639S3ST_ SB82190 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| HUF76639S3ST_F085 | 功能描述:MOSFET 50A, 100V, 0.026 Ohm N-Channel UltraFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| HUF76639S3ST_R4882 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
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