- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄385414 > HY29F002TC-90 (HYNIX SEMICONDUCTOR INC) 2 Megabit (256K x 8), 5 Volt-only, Flash Memory PDF資料下載
參數資料
| 型號： | HY29F002TC-90 |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2 Megabit (256K x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
| 中文描述： | 256K X 8 FLASH 5V PROM, 90 ns, PQCC32 |
| 封裝： | PLASTIC, LCC-32 |
| 文件頁數： | 27/38頁 |
| 文件大小： | 381K |
| 代理商： | HY29F002TC-90 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁當前第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁
27
Rev. 4.1/May 01
HY29F002T
AC CHARACTERISTICS
Notes:
1. SA =Sector Address (for sector erase), VA = Valid Address for reading status data (see Write Operation Status section),
D
OUT
is the true data at the read address.(0xFF after an erase operation).
2. V
CC
shown only to illustrate t
VCS
measurement references. It cannot occur as shown during a valid command sequence.
Figure 16. Sector/Chip Erase Operation Timings
Addresses
CE#
t
WC
0x2AA
VA
VA
SA
OE#
t
AS
t
AH
t
WPH
t
WP
t
GHWL
t
CS
t
CH
WE#
Data
t
DS
t
DH
0x55
0x30
Status
D
OUT
t
WHWH2
or t
WHWH3
t
VCS
V
CC
Erase Command Sequence (last two cycles)
Read Status Data (last two cycles)
0x555 for chip erase
0x10 for
chip erase
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY29F002TT-45 | 2 Megabit (256K x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F002TT-55 | 2 Megabit (256K x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F002TT-70 | 2 Megabit (256K x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F002TT-90 | 2 Megabit (256K x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F040A | 512K x 8-bit CMOS 5.0 volt-only, Sector Erase Flash Memory |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| HY29F002TC-90E | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
| HY29F002TC-90I | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
| HY29F002TP-12 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
| HY29F002TP-12E | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
| HY29F002TP-12I | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。