- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄385414 > HY29F002TT-55 (HYNIX SEMICONDUCTOR INC) 2 Megabit (256K x 8), 5 Volt-only, Flash Memory PDF資料下載
參數資料
| 型號： | HY29F002TT-55 |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2 Megabit (256K x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
| 中文描述： | 256K X 8 FLASH 5V PROM, 55 ns, PDSO32 |
| 封裝： | TSOP-32 |
| 文件頁數： | 22/38頁 |
| 文件大小： | 381K |
| 代理商： | HY29F002TT-55 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁當前第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁
22
Rev. 4.1/May 01
HY29F002T
TEST CONDITIONS
Table 7. Test Specifications
t
e
T
o
n
o
C
d
a
o
L
t
p
O
p
a
C
d
a
o
L
t
p
O
l
F
d
n
a
e
s
R
t
p
n
w
o
L
l
n
g
t
p
n
h
g
l
n
g
t
p
n
a
e
M
g
n
m
i
w
o
L
l
v
e
L
l
n
g
a
e
M
g
n
m
i
h
g
l
v
e
L
l
n
g
Figure 11. Test Setup
Measurement Level
1.5 V
Output
I
nput
1.5 V
0.0 V
3.0 V
HY29F002T-45, -55 Versions
Measurement
Levels
Output
Input
0.45 V
2.4 V
0.8 V
2.0 V
0.8 V
2.0 V
HY29F002T-70, -90 Versions
Figure 12. Input Waveforms and Measurement Levels
n
5
5
T
T
0
3
5
0
0
4
5
-
-
1
0
0
7
9
-
-
t
U
e
G
0
1
2
4
4
L
C
(
e
s
c
e
n
a
a
i
v
e
L
e
L
e
r
s
L
)
0
F
s
p
n
V
V
m
l
l
v
m
0
5
t
e
5
8
V
t
e
m
e
r
s
5
0
V
6.2
KOhm
C
L
2.7
KOhm
+ 5V
DEVICE
UNDER
TEST
All diodes
are
1N3064
or
equivalent
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY29F002TT-70 | 2 Megabit (256K x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F002TT-90 | 2 Megabit (256K x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F040A | 512K x 8-bit CMOS 5.0 volt-only, Sector Erase Flash Memory |
| HY29F080T70 | 8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F080 | 8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| HY29F002TT-55E | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
| HY29F002TT-55I | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
| HY29F002TT-70 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:2 Megabit (256K x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F002TT-70E | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
| HY29F002TT-70I | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。