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參數(shù)資料
型號: HY29F002TT-55
廠商: HYNIX SEMICONDUCTOR INC
元件分類: DRAM
英文描述: 2 Megabit (256K x 8), 5 Volt-only, Flash Memory
中文描述: 256K X 8 FLASH 5V PROM, 55 ns, PDSO32
封裝: TSOP-32
文件頁數(shù): 26/38頁
文件大小: 381K
代理商: HY29F002TT-55
26
Rev. 4.1/May 01
HY29F002T
AC CHARACTERISTICS
Notes:
1. PA = Program Address, PD = Program Data, D
is the true data at the program address.
2. V
CC
shown only to illustrate t
VCS
measurement references. It cannot occur as shown during a valid command sequence.
Figure 15. Program Operation Timings
Addresses
CE#
t
WC
0x555
PA
PA
PA
OE#
t
AS
t
AH
t
WPH
t
WP
t
GHWL
t
CS
WE#
Data
t
DS
t
DH
0xA0
PD
Status
t
WHWH1
t
VCS
V
CC
Program Command Sequence (last two cycles)
Read Status Data (last two cycles)
D
OUT
t
CH
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HY29F002TT-70 2 Megabit (256K x 8), 5 Volt-only, Flash Memory
HY29F002TT-90 2 Megabit (256K x 8), 5 Volt-only, Flash Memory
HY29F040A 512K x 8-bit CMOS 5.0 volt-only, Sector Erase Flash Memory
HY29F080T70 8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory
HY29F080 8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HY29F002TT-55E 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM
HY29F002TT-55I 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM
HY29F002TT-70 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:2 Megabit (256K x 8), 5 Volt-only, Flash Memory
HY29F002TT-70E 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM
HY29F002TT-70I 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM
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