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參數資料
| 型號： | HY29F002TT-90 |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2 Megabit (256K x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
| 中文描述： | 256K X 8 FLASH 5V PROM, 90 ns, PDSO32 |
| 封裝： | TSOP-32 |
| 文件頁數： | 18/38頁 |
| 文件大小： | 381K |
| 代理商： | HY29F002TT-90 |
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18
Rev. 4.1/May 01
HY29F002T
Write Pulse “Glitch” Protection
Noise pulses of less than 5 ns (typical) on OE#,
CE# or WE# do not initiate a write cycle.
Logical Inhibit
Write cycles are inhibited by asserting any one of
the following conditions: OE# = V
IL
, CE# = V
IH
, or
WE# = V
IH
. To initiate a write cycle, CE# and WE#
must be a logical zero while OE# is a logical one.
Power-Up Write Inhibit
If WE# = CE# = V
IL
and OE# = V
IH
during power
up, the device does not accept commands on the
rising edge of WE#. The internal state machine is
automatically reset to the Read mode on power-
up.
Sector Protection
Additional data protection is provided by the
HY29F002T
’
s sector protect feature, described
previously, which can be used to protect sensitive
areas of the Flash array from accidental or unau-
thorized attempts to alter the data.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY29F040A | 512K x 8-bit CMOS 5.0 volt-only, Sector Erase Flash Memory |
| HY29F080T70 | 8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F080 | 8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F080G12 | 8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F080G70 | 8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| HY29F002TT-90E | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
| HY29F002TT-90I | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
| HY29F040A | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512K x 8-bit CMOS 5.0 volt-only, Sector Erase Flash Memory |
| HY29F040AC-12 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512K x 8-bit CMOS 5.0 volt-only, Sector Erase Flash Memory |
| HY29F040AC-12E | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512K x 8-bit CMOS 5.0 volt-only, Sector Erase Flash Memory |
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