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參數資料
型號: HY29F080G12
廠商: Hynix Semiconductor Inc.
英文描述: 8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory
中文描述: 8兆位(1米× 8),5伏只,閃存
文件頁數: 32/38頁
文件大小: 366K
代理商: HY29F080G12
32
Rev. 6.1/May 01
HY29F080
AC CHARACTERISTICS
t
VIDR
RY/BY#
WE#
CE#
RESET#
V
ID
0 or 5V
t
RSP
t
VIDR
0 or 5V
Figure 22. Temporary Sector Group Unprotect Timings
相關PDF資料
PDF描述
HY29F080G70 8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory
HY29F080G90 8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory
HY29F080R12 8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory
HY29F080R70 8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory
HY29F080R90 8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory
相關代理商/技術參數
參數描述
HY29F080G-12 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:x8 Flash EEPROM
HY29F080G-12E 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM
HY29F080G-15 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM
HY29F080G-15E 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM
HY29F080G-15I 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM
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