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參數(shù)資料
| 型號： | HY29F080R-70 |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | x8 Flash EEPROM |
| 中文描述： | 1M X 8 FLASH 5V PROM, 70 ns, PDSO40 |
| 封裝： | REVERSE, TSOP-40 |
| 文件頁數(shù)： | 22/38頁 |
| 文件大小： | 366K |
| 代理商： | HY29F080R-70 |
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22
Rev. 6.1/May 01
HY29F080
TEST CONDITIONS
Table 7. Test Specifications
Figure 11. Test Setup
Measurement
Levels
Output
Input
0.45 V
2.4 V
0.8 V
2.0 V
0.8 V
2.0 V
HY29F080-70, -90, -12 Versions
Figure 12. Input Waveforms and Measurement Levels
t
e
T
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C
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2
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8
V
t
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m
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s
0
V
6.2
KOhm
C
L
2.7
KOhm
+ 5V
DEVICE
UNDER
TEST
All diodes
are
1N3064
or
equivalent
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY29F080R-90 | x8 Flash EEPROM |
| HY29F080T-12 | x8 Flash EEPROM |
| HY29F080T-70 | x8 Flash EEPROM |
| HY29F080T-90 | x8 Flash EEPROM |
| HY29F400BT55 | 4 Megabit (512Kx8/256Kx16) 5 Volt-only Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY29F080R-70E | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
| HY29F080R90 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F080R-90 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:x8 Flash EEPROM |
| HY29F080R-90E | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
| HY29F080T12 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
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