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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY29F080R-70 |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | x8 Flash EEPROM |
| 中文描述： | 1M X 8 FLASH 5V PROM, 70 ns, PDSO40 |
| 封裝： | REVERSE, TSOP-40 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 35/38頁(yè) |
| 文件大小： | 366K |
| 代理商： | HY29F080R-70 |
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35
Rev. 6.1/May 01
HY29F080
Latchup Characteristics
Notes:
1. Includes all pins except V
CC
. Test conditions: V
CC
= 5.0V, one pin at a time.
TSOP Pin Capacitance
l
b
m
y
S
C
N
I
n
C
T
U
O
O
C
2
N
I
C
PSOP Pin Capacitance
l
b
m
y
S
C
N
I
n
C
T
U
O
O
C
2
N
I
C
Notes:
1. Sampled, not 100% tested.
2. Test conditions: T
A
= 25
o
C, f = 1.0 MHz.
Notes:
1. Sampled, not 100% tested.
2. Test conditions: T
A
= 25
o
C, f = 1.0 MHz.
Data Retention
n
/
n
o
o
p
c
s
e
D
o
e
p
m
u
m
0
0
1
i
M
m
u
m
0
+
0
0
1
i
a
V
C
C
M
t
U
V
m
V
s
e
r
h
w
e
g
a
v
r
C
t
p
V
C
C
n
S
S
s
n
O
-
-
t
e
0
A
r
e
t
m
e
c
n
a
a
p
a
C
a
c
r
a
n
P
p
u
t
S
=
=
=
t
e
T
p
y
6
T
x
a
M
5
1
9
t
U
F
p
F
p
F
p
a
a
p
a
C
a
C
t
p
n
l
r
o
t
p
V
N
V
O
V
N
I
0
e
a
a
p
T
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0
5
8
2
e
c
n
I
0
r
e
t
m
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n
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C
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P
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u
t
S
=
=
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a
M
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1
1
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p
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C
a
C
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p
n
l
r
o
t
p
V
N
V
O
V
N
I
0
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a
p
T
U
0
5
5
2
0
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c
n
I
0
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e
t
m
a
r
a
P
s
n
o
n
o
C
o
0
5
1
o
5
2
1
t
e
T
m
u
m
0
1
0
2
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m
i
n
o
e
R
a
D
n
r
P
m
u
m
i
M
C
C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY29F080R-90 | x8 Flash EEPROM |
| HY29F080T-12 | x8 Flash EEPROM |
| HY29F080T-70 | x8 Flash EEPROM |
| HY29F080T-90 | x8 Flash EEPROM |
| HY29F400BT55 | 4 Megabit (512Kx8/256Kx16) 5 Volt-only Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY29F080R-70E | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
| HY29F080R90 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F080R-90 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:x8 Flash EEPROM |
| HY29F080R-90E | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
| HY29F080T12 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
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