- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄385414 > HY29F080R70 (Hynix Semiconductor Inc.) 8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory PDF資料下載
參數資料
| 型號： | HY29F080R70 |
| 廠商： | Hynix Semiconductor Inc. |
| 英文描述： | 8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
| 中文描述： | 8兆位（1米× 8），5伏只，閃存 |
| 文件頁數： | 22/38頁 |
| 文件大小： | 366K |
| 代理商： | HY29F080R70 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁當前第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁
22
Rev. 6.1/May 01
HY29F080
TEST CONDITIONS
Table 7. Test Specifications
Figure 11. Test Setup
Measurement
Levels
Output
Input
0.45 V
2.4 V
0.8 V
2.0 V
0.8 V
2.0 V
HY29F080-70, -90, -12 Versions
Figure 12. Input Waveforms and Measurement Levels
t
e
T
d
n
o
n
o
C
0
0
2
G
0
0
5
7
9
1
L
0
1
2
4
4
-
-
-
T
t
n
U
d
d
a
a
a
o
o
e
n
n
n
e
L
n
m
e
L
L
L
t
t
R
S
S
i
l
n
i
h
l
n
p
O
p
O
p
n
p
n
p
n
o
L
g
S
g
H
g
S
e
T
1
C
(
e
s
c
e
n
a
a
i
l
F
e
L
w
L
h
g
H
s
a
e
M
l
v
a
e
M
g
l
v
p
a
C
d
o
L
L
)
F
s
p
n
V
V
m
l
v
l
v
e
m
e
n
s
g
g
m
t
t
t
w
l
l
g
t
e
8
V
t
e
m
e
s
0
V
6.2
KOhm
C
L
2.7
KOhm
+ 5V
DEVICE
UNDER
TEST
All diodes
are
1N3064
or
equivalent
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY29F080R90 | 8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F080T12 | 8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F080G-12 | x8 Flash EEPROM |
| HY29F080T90 | 8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F080G-70 | x8 Flash EEPROM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| HY29F080R-70 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:x8 Flash EEPROM |
| HY29F080R-70E | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
| HY29F080R90 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F080R-90 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:x8 Flash EEPROM |
| HY29F080R-90E | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。