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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY29F080T-12 |
| 廠(chǎng)商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | x8 Flash EEPROM |
| 中文描述： | 1M X 8 FLASH 5V PROM, 120 ns, PDSO40 |
| 封裝： | TSOP-40 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 27/38頁(yè) |
| 文件大小： | 366K |
| 代理商： | HY29F080T-12 |
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27
Rev. 6.1/May 01
HY29F080
AC CHARACTERISTICS
Addresses
CE#
t
WC
0x2AA
VA
VA
SA
OE#
t
AS
t
AH
t
WPH
t
WP
t
GHWL
t
CS
t
CH
WE#
Data
t
DS
t
DH
0x55
0x30
Status
D
OUT
t
WHWH2
or t
WHWH3
RY/BY#
t
BUSY
t
RB
t
VCS
V
CC
Erase Command Sequence (last two cycles)
Read Status Data (last two cycles)
0x555 for chip erase
0x10 for
chip erase
Notes:
1. SA =Sector Address (for sector erase), VA = Valid Address for reading status data (see Write Operation Status section),
D
OUT
is the true data at the read address.(0xFF after an erase operation).
2. V
CC
shown only to illustrate t
VCS
measurement references. It cannot occur as shown during a valid command sequence.
Figure 16. Sector/Chip Erase Operation Timings
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY29F080T-70 | x8 Flash EEPROM |
| HY29F080T-90 | x8 Flash EEPROM |
| HY29F400BT55 | 4 Megabit (512Kx8/256Kx16) 5 Volt-only Flash Memory |
| HY29F400TT45 | 4 Megabit (512Kx8/256Kx16) 5 Volt-only Flash Memory |
| HY29F400TT55 | 4 Megabit (512Kx8/256Kx16) 5 Volt-only Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY29F080T-12E | 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
| HY29F080T-15 | 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
| HY29F080T-15E | 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
| HY29F080T-15I | 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
| HY29F080T-55E | 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
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