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參數(shù)資料
型號: HY29F080T-70
廠商: HYNIX SEMICONDUCTOR INC
元件分類: DRAM
英文描述: x8 Flash EEPROM
中文描述: 1M X 8 FLASH 5V PROM, 70 ns, PDSO40
封裝: TSOP-40
文件頁數(shù): 22/38頁
文件大小: 366K
代理商: HY29F080T-70
22
Rev. 6.1/May 01
HY29F080
TEST CONDITIONS
Table 7. Test Specifications
Figure 11. Test Setup
Measurement
Levels
Output
Input
0.45 V
2.4 V
0.8 V
2.0 V
0.8 V
2.0 V
HY29F080-70, -90, -12 Versions
Figure 12. Input Waveforms and Measurement Levels
t
e
T
d
n
o
n
o
C
0
0
2
G
0
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8
V
t
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s
0
V
6.2
KOhm
C
L
2.7
KOhm
+ 5V
DEVICE
UNDER
TEST
All diodes
are
1N3064
or
equivalent
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HY29F080T-90 x8 Flash EEPROM
HY29F400BT55 4 Megabit (512Kx8/256Kx16) 5 Volt-only Flash Memory
HY29F400TT45 4 Megabit (512Kx8/256Kx16) 5 Volt-only Flash Memory
HY29F400TT55 4 Megabit (512Kx8/256Kx16) 5 Volt-only Flash Memory
HY29F400TT70 4 Megabit (512Kx8/256Kx16) 5 Volt-only Flash Memory
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HY29F080T-70E 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM
HY29F080T90 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory
HY29F080T-90 制造商:Hynix Semi 功能描述:
HY29F080T-90E 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM
HY29F200BG-12 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM
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