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參數資料
| 型號： | HY29F080T-70 |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | x8 Flash EEPROM |
| 中文描述： | 1M X 8 FLASH 5V PROM, 70 ns, PDSO40 |
| 封裝： | TSOP-40 |
| 文件頁數： | 28/38頁 |
| 文件大?。?/td> | 366K |
| 代理商： | HY29F080T-70 |
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28
Rev. 6.1/May 01
HY29F080
AC CHARACTERISTICS
t
BUSY
t
CH
t
OE
t
CE
t
RC
VA
Complement
Complement
True
Valid Data
Status Data
Status Data
True
Valid Data
RY/BY#
DQ[6:0]
DQ[7]
WE#
OE#
CE#
Addresses
VA
VA
t
ACC
t
OEH
t
OH
t
DF
Notes:
1. VA = Valid Address for reading Data# Polling status data (see Write Operation Status section).
2. Illustration shows first status cycle after command sequence, last status read cycle and array data read cycle.
Figure 17. Data# Polling Timings (During Automatic Algorithms)
t
BUSY
t
CH
t
OE
t
CE
t
RC
Valid Status
Valid Status
Valid Status
RY/BY#
DQ[6], [2]
WE#
OE#
CE#
Addresses
VA
VA
VA
t
OEH
t
OH
t
DF
VA
(second read)
(first read)
(stops toggling)
Valid Data
t
ACC
Notes:
1. VA = Valid Address for reading Toggle Bits (DQ2, DQ6) status data (see Write Operation Status section).
2. Illustration shows first two status read cycles after command sequence, last status read cycle and array data read cycle.
Figure 18. Toggle Polling Timings (During Automatic Algorithms)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY29F080T-90 | x8 Flash EEPROM |
| HY29F400BT55 | 4 Megabit (512Kx8/256Kx16) 5 Volt-only Flash Memory |
| HY29F400TT45 | 4 Megabit (512Kx8/256Kx16) 5 Volt-only Flash Memory |
| HY29F400TT55 | 4 Megabit (512Kx8/256Kx16) 5 Volt-only Flash Memory |
| HY29F400TT70 | 4 Megabit (512Kx8/256Kx16) 5 Volt-only Flash Memory |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| HY29F080T-70E | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
| HY29F080T90 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F080T-90 | 制造商:Hynix Semi 功能描述: |
| HY29F080T-90E | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
| HY29F200BG-12 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
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