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參數資料
型號: HY29F080T12
廠商: Hynix Semiconductor Inc.
英文描述: 8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory
中文描述: 8兆位(1米× 8),5伏只,閃存
文件頁數: 26/38頁
文件大小: 366K
代理商: HY29F080T12
26
Rev. 6.1/May 01
HY29F080
AC CHARACTERISTICS
Addresses
CE#
t
WC
0x555
PA
PA
PA
OE#
t
AS
t
AH
t
WPH
t
WP
t
GHWL
t
CS
WE#
Data
t
DS
t
DH
0xA0
PD
Status
t
WHWH1
RY/BY#
t
BUSY
t
RB
t
VCS
V
CC
Program Command Sequence (last two cycles)
Read Status Data (last two cycles)
D
OUT
t
CH
Notes:
1. PA = Program Address, PD = Program Data, D
is the true data at the program address.
2. V
CC
shown only to illustrate t
VCS
measurement references. It cannot occur as shown during a valid command sequence.
Figure 15. Program Operation Timings
相關PDF資料
PDF描述
HY29F080G-12 x8 Flash EEPROM
HY29F080T90 8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory
HY29F080G-70 x8 Flash EEPROM
HY29F080G-90 x8 Flash EEPROM
HY29F080R-12 x8 Flash EEPROM
相關代理商/技術參數
參數描述
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HY29F080T-12E 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM
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