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參數(shù)資料
| 型號： | HYB18T512800AF-3S |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
| 中文描述： | 512兆位DDR2 SDRAM的 |
| 文件頁數(shù)： | 1/117頁 |
| 文件大小： | 2102K |
| 代理商： | HYB18T512800AF-3S |
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N e v e r s t o p t h i n k i n g .
HYB18T512400AF
HYB18T512800AF
HYB18T512160AF
512-Mbit DDR2 SDRAM
DDR2 SDRAM
RoHS Compliant Products
Data Sheet, Rev. 1.3, Jan. 2005
Memory Products
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB18T512800AC-37 | M39012 MIL RF CONNECTOR |
| HYB18T512800AC-5 | M39012 MIL RF CONNECTOR |
| HYB18T512800AC | DDR2 Registered Memory Modules |
| HYB18T512800AF | DDR2 Registered Memory Modules |
| HYB18T512800AF-37 | 512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB18T512800BF-2.5 | 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF) |
| HYB18T512800BF-3.7 | 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:150 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DFN（2x3） 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1445 (CN2011-ZH PDF) |
| HYB18T512800BF-3S | 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR) |
| HYB25D128160AT-6 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:128 Mbit Double Data Rate SDRAM |
| HYB25D128160AT7 | 制造商:INFINEON 功能描述:New |
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