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IS43DR16640C-3DBI

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操作

IS43DR16640C-3DBI
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
聯系人：廖先生
電話：13612973190
地址：廣東省深圳市華強北上航大廈西座410室
9000
ISSI
84-TFBGA
22+
-
原廠渠道，現貨配單

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IS43DR16640C-3DBI PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

IS43DR16640C-3DBI 技術參數

IS43DR16640C-25DBLI 功能描述:IC SDRAM 1GBIT 400MHZ 84BGA 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包裝:托盤零件狀態:在售格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:DDR2 SDRAM 存儲容量:1G（64M x 16）速度:400MHz 接口:并聯電壓 - 電源:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）封裝/外殼:84-TFBGA 供應商器件封裝:84-TWBGA（8x12.5）標準包裝:50 IS43DR16640C-25DBL 功能描述:IC SDRAM 1GBIT 400MHZ 84BGA 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包裝:托盤零件狀態:在售格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:DDR2 SDRAM 存儲容量:1G（64M x 16）速度:400MHz 接口:并聯電壓 - 電源:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 85°C（TC）封裝/外殼:84-TFBGA 供應商器件封裝:84-TWBGA（8x12.5）標準包裝:100 IS43DR16640B-3DBL-TR 功能描述:動態隨機存取存儲器 1G (64Mx16) 333MHz DDR2 1.8v RoHS:否制造商:ISSI 數據總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube IS43DR16640B-3DBLI-TR 功能描述:動態隨機存取存儲器 1G (64Mx16) 333MHz DDR2 1.8v RoHS:否制造商:ISSI 數據總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube IS43DR16640B-3DBLI 功能描述:動態隨機存取存儲器 1G (64Mx16) 333MHz DDR2 1.8v RoHS:否制造商:ISSI 數據總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube IS43DR81280B-3DBL IS43DR81280B-3DBLI IS43DR81280B-3DBLI-TR IS43DR81280B-3DBL-TR IS43DR81280C-25DBL IS43DR81280C-25DBLI IS43DR81280C-25DBLI-TR IS43DR81280C-3DBL IS43DR81280C-3DBLI IS43DR81280C-3DBLI-TR IS43DR82560B-3DBLI IS43DR82560C-25DBL IS43DR82560C-25DBLI IS43DR82560C-25DBLI-TR IS43DR82560C-3DBL IS43DR82560C-3DBLI IS43DR82560C-3DBLI-TR IS43DR86400C-25DBL