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IXDI630MYI

配單專(zhuān)家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • IXDI630MYI
    IXDI630MYI

    IXDI630MYI

  • 深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司
    深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司

    聯(lián)系人：周小姐/高先生/曹先生

    電話：137602720171852080514813487865852

    地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號(hào)星河WORLDA2203A室

  • 43783

  • IXYS Integrated Circuits

  • TO-263-5

  • 25+

  • -

  • 全球渠道、原廠正品、信譽(yù)保障、閃電發(fā)貨

  • IXDI630MYI
    IXDI630MYI

    IXDI630MYI

  • 北京首天偉業(yè)科技有限公司
    北京首天偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-621049316210489162104578

    地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道電子科技大廈C座23E

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • IXYS Integrated Circuits

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 16+

  • -

  • 假一罰十

  • IXDI630MYI
    IXDI630MYI

    IXDI630MYI

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：譚玉麗

    電話：19129491949(手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào))0755-83267816

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

  • 10001

  • IXYS Integrated Circuits

  • TO-263-6，D²Pak（

  • 12+

  • -

  • 授權(quán)分銷(xiāo) 現(xiàn)貨熱賣(mài)

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共16條 
  • 1
IXDI630MYI PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • 功率驅(qū)動(dòng)器IC 9V 5-PIN TO-263 MOSFET DRIVER; 30A
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • Micrel
  • 產(chǎn)品
  • MOSFET Gate Drivers
  • 類(lèi)型
  • Low Cost High or Low Side MOSFET Driver
  • 上升時(shí)間
  • 下降時(shí)間
  • 電源電壓-最大
  • 30 V
  • 電源電壓-最小
  • 2.75 V
  • 電源電流
  • 最大功率耗散
  • 最大工作溫度
  • + 85 C
  • 安裝風(fēng)格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • SOIC-8
  • 封裝
  • Tube
IXDI630MYI 技術(shù)參數(shù)
  • IXDI630MCI 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC 9V 5-PIN TO-220 MOSFET DRIVER; 30A RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類(lèi)型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube IXDI630CI 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC 12.5V 5-PIN TO-220 MOSFET DRIVER; 30A RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類(lèi)型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube IXDI614YI 功能描述:14A 5 LEAD TO-263 INVERTING RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開(kāi)關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類(lèi)型:非反相 延遲時(shí)間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱(chēng):835-1063 IXDI614SITR 功能描述:14A 8LEAD SOIC EXP MTL INVERTING RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開(kāi)關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類(lèi)型:非反相 延遲時(shí)間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱(chēng):835-1063 IXDI614SI 功能描述:14A 8LEAD SOIC EXP MTL INVERTING RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開(kāi)關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類(lèi)型:非反相 延遲時(shí)間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱(chēng):835-1063 IXDN409PI IXDN409SI IXDN409SIA IXDN409YI IXDN414CI IXDN414PI IXDN414SI IXDN414YI IXDN430CI IXDN430MCI IXDN430MYI IXDN430YI IXDN502D1 IXDN502D1T/R IXDN502PI IXDN502SIA IXDN502SIAT/R IXDN504D1
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