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IXDI630YI
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
聯(lián)系人：廖小姐
電話：13410012158
地址：廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北上航大廈西座四層
1800
IXYS
TO-263-6
22+
-

IXDI630YI
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
78560
IXYS
TO-263
最新批號(hào)
-
代理此型號(hào).原裝正品現(xiàn)貨

IXDI630YI
深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司
深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司
聯(lián)系人：周小姐/高先生/曹先生
電話：137602720171852080514813487865852
地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號(hào)星河WORLDA2203A室
29044
IXYS Integrated Circuits
TO-263-5
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽(yù)保障、閃電發(fā)貨

IXDI630YI
北京首天偉業(yè)科技有限公司
北京首天偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-621049316210489162104578
地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道電子科技大廈C座23E
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
5000
IXYS Integrated Circuits
標(biāo)準(zhǔn)封裝
16+
-
假一罰十

IXDI630YI
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：譚玉麗
電話：19129491949(手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào))0755-83267816
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室
10001
IXYS Integrated Circuits
TO-263-6，D²Pak（
12+
-
授權(quán)分銷(xiāo) 現(xiàn)貨熱賣(mài)

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功能描述
功率驅(qū)動(dòng)器IC MOSFET POWER DRIVER
RoHS
否
制造商
Micrel
產(chǎn)品
MOSFET Gate Drivers
類(lèi)型
Low Cost High or Low Side MOSFET Driver
上升時(shí)間
下降時(shí)間
電源電壓-最大
30 V
電源電壓-最小
2.75 V
電源電流
最大功率耗散
最大工作溫度
+ 85 C
安裝風(fēng)格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
SOIC-8
封裝
Tube

IXDI630YI 技術(shù)參數(shù)

IXDI630MYI 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC 9V 5-PIN TO-263 MOSFET DRIVER; 30A RoHS:否制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類(lèi)型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube IXDI630MCI 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC 9V 5-PIN TO-220 MOSFET DRIVER; 30A RoHS:否制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類(lèi)型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube IXDI630CI 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC 12.5V 5-PIN TO-220 MOSFET DRIVER; 30A RoHS:否制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類(lèi)型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube IXDI614YI 功能描述:14A 5 LEAD TO-263 INVERTING RoHS:是類(lèi)別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開(kāi)關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端輸入類(lèi)型:非反相延遲時(shí)間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類(lèi)型:通孔封裝/外殼:21-SIP 模塊供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊包裝:散裝配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱(chēng):835-1063 IXDI614SITR 功能描述:14A 8LEAD SOIC EXP MTL INVERTING RoHS:是類(lèi)別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開(kāi)關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端輸入類(lèi)型:非反相延遲時(shí)間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類(lèi)型:通孔封裝/外殼:21-SIP 模塊供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊包裝:散裝配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱(chēng):835-1063 IXDN409SI IXDN409SIA IXDN409YI IXDN414CI IXDN414PI IXDN414SI IXDN414YI IXDN430CI IXDN430MCI IXDN430MYI IXDN430YI IXDN502D1 IXDN502D1T/R IXDN502PI IXDN502SIA IXDN502SIAT/R IXDN504D1 IXDN504D1T/R

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