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1N4370ATR-1

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  • 制造商
  • MICROSEMI
  • 制造商全稱
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • SILICON 400 mW ZENER DIODES
1N4370ATR-1 技術參數
  • 1N4370ADO41 功能描述:DIODE ZENER 2.4V 400MW DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:停產 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):2.4V 容差:±5% 功率 - 最大值:400mW 阻抗(最大值)(Zzt):30 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 標準包裝:1 1N4370A_T50R 功能描述:DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):2.4V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):30 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 1N4370A_T50A 功能描述:DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:過期 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):2.4V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):30 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 1N4370A TR 功能描述:DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):2.4V 容差:- 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 1N4370A BK 功能描述:DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):2.4V 容差:- 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:2,500 1N4383GP-E3/54 1N4383GPHE3/54 1N4384GP-E3/54 1N4384GP-E3/73 1N4384GPHE3/54 1N4384GPHE3/73 1N4385GP-E3/54 1N4385GPHE3/54 1N4436 1N4437_FT 1N4444-1 1N4446 1N4446 TR 1N4446_T50R 1N4446TR 1N4447 1N4447TR 1N4448
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