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1N4370D

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1N4370D
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
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制造商
MICROSEMI
制造商全稱
Microsemi Corporation
功能描述
SILICON 400 mW ZENER DIODES

1N4370D 技術參數

1N4370AUR-1 功能描述:DIODE ZENER 2.4V 500MW DO213AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:2.4V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AA（玻璃）供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 1N4370ADO41 功能描述:DIODE ZENER 2.4V 400MW DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:停產電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:2.4V 容差:±5% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41）標準包裝:1 1N4370A_T50R 功能描述:DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:2.4V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 1N4370A_T50A 功能描述:DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:過期電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:2.4V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 1N4370A TR 功能描述:DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:2.4V 容差:- 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 1N4383GPHE3/54 1N4384GP-E3/54 1N4384GP-E3/73 1N4384GPHE3/54 1N4384GPHE3/73 1N4385GP-E3/54 1N4385GPHE3/54 1N4436 1N4437_FT 1N4444-1 1N4446 1N4446 TR 1N4446_T50R 1N4446TR 1N4447 1N4447TR 1N4448 1N4448 A0G