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1N4376JTX

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1N4376JTX 技術(shù)參數(shù)
  • 1N4372A_T50R 功能描述:DIODE ZENER 3V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:3V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:29 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 1N4372A_T50A 功能描述:DIODE ZENER 3V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):過期 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:3V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:29 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 1N4372A 功能描述:DIODE ZENER 3V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:3V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:29 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4372 功能描述:DIODE ZENER 3V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:3V 容差:±10% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:29 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4371A_T50R 功能描述:DIODE ZENER 2.7V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:2.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:75μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 1N4437_FT 1N4444-1 1N4446 1N4446 TR 1N4446_T50R 1N4446TR 1N4447 1N4447TR 1N4448 1N4448 A0G 1N4448 TR 1N4448,113 1N4448,133 1N4448,143 1N4448_S00Z 1N4448_T26A 1N4448_T50A 1N4448_T50R
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