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1N4383LEADFREE

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1N4383LEADFREE 技術參數

1N4383GPHE3/54 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:2μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:15pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AC，DO-15，軸向供應商器件封裝:DO-204AC（DO-15）工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:4,000 1N4383GP-E3/54 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:2μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:15pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AC，DO-15，軸向供應商器件封裝:DO-204AC（DO-15）工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:4,000 1N4372A_T50R 功能描述:DIODE ZENER 3V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:29 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 1N4372A_T50A 功能描述:DIODE ZENER 3V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:過期電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:29 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 1N4372A 功能描述:DIODE ZENER 3V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:29 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N4446 1N4446 TR 1N4446_T50R 1N4446TR 1N4447 1N4447TR 1N4448 1N4448 A0G 1N4448 TR 1N4448,113 1N4448,133 1N4448,143 1N4448_S00Z 1N4448_T26A 1N4448_T50A 1N4448_T50R 1N4448-A 1N4448HLP-7