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1N4755A _AY _10001

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  • 制造商
  • PanJit Touch Screens
  • 功能描述
1N4755A _AY _10001 技術參數(shù)
  • 1N4755A 功能描述:DIODE ZENER 43V 1W DO41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):43V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):70 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 32.7V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):- 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:1,000 1N4755 G 功能描述:DIODE ZENER 43V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):43V 容差:±10% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):70 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 32.7V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 標準包裝:1 1N4754UR-1 功能描述:DIODE ZENER 39V 1W DO213AB 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):39V 容差:±10% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):60 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 29.7V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AB,MELF 供應商器件封裝:DO-213AB 標準包裝:1 1N4754PE3/TR8 功能描述:DIODE ZENER 39V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):39V 容差:±10% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):60 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 29.7V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 標準包裝:1,500 1N4754PE3/TR12 功能描述:DIODE ZENER 39V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):39V 容差:±10% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):60 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 29.7V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 標準包裝:4,000 1N4755AE3/TR13 1N4755AHA0G 1N4755AHB0G 1N4755AHR0G 1N4755AHR1G 1N4755AP/TR12 1N4755AP/TR8 1N4755APE3/TR12 1N4755APE3/TR8 1N4755A-T 1N4755A-T50A 1N4755A-TAP 1N4755A-TP 1N4755ATR 1N4755A-TR 1N4755AUR 1N4755CE3/TR13 1N4755CP/TR12
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