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1N4755E3/TR13

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
DIODE ZENER 1.0W 43V 10% DO41

1N4755E3/TR13 技術(shù)參數(shù)

1N4755CPE3/TR8 功能描述:DIODE ZENER 43V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:43V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:70 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 32.7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL（DO-41）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,500 1N4755CPE3/TR12 功能描述:DIODE ZENER 43V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:43V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:70 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 32.7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL（DO-41）標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,000 1N4755CP/TR8 功能描述:DIODE ZENER 43V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:43V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:70 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 32.7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL（DO-41）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,500 1N4755CP/TR12 功能描述:DIODE ZENER 43V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:43V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:70 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 32.7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL（DO-41）標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,000 1N4755CE3/TR13 功能描述:DIODE ZENER 43V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:43V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:70 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 32.7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL（DO-41）標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 1N4756A B0G 1N4756A BK 1N4756A G 1N4756A R0G 1N4756A R1G 1N4756A TR 1N4756A_T50A 1N4756A_T50R 1N4756AE3/TR13 1N4756AHA0G 1N4756AHB0G 1N4756AHR0G 1N4756AHR1G 1N4756AP/TR12 1N4756AP/TR8 1N4756APE3/TR12 1N4756APE3/TR8 1N4756A-T