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1N5196

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

1N5196JANTXTR
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
MCSM
原廠封裝
最新批號
-
代理此型號，原裝正品現貨！

1N5196JANTX
深圳市湘達電子有限公司
深圳市湘達電子有限公司
聯系人：朱平
電話：0755-83229772-83202753
地址：辦公地址幫我改成深圳市福田區紅荔路上步工業區201棟東座4樓F02室
3636
MICROSEMI
原廠
21+
-
百分百進口原裝現貨，價格有優勢。

1N5196JTX
標準國際(香港)有限公司
標準國際(香港)有限公司
聯系人：朱小姐
電話：83617149
地址：新華強廣場2樓Q2B036室?|?公司: 深圳市福田區華強北路賽格廣場58樓5813室
資質：營業執照
4247
MSC
-
公司現貨,只做原裝！

1N5196JTX
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
聯系人：陳小姐
電話：13428937514
地址：門市: 新華強廣場2樓公司: 深圳市福田區華強北路賽格廣場58樓5813室
資質：營業執照
4247
MSC
-
公司現貨,只做原裝！

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您是不是要找： 1N5196UR 1N5221A 1N5221A (DO-35) 1N5221B 1N5221B (DO-35) 1N5221B A0G 1N5221B BK 1N5221B TR 1N5221B_T50R

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
STD RECOVERY RECTFR 200V 0.2A 2PIN DO-35 - Bulk
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
DIODE SWITCHING DO-35

1N5196 技術參數

1N5195UR 功能描述:DIODE GEN PURP 180V 200MA DO213 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:180V 電流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25nA @ 180V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AA（玻璃）供應商器件封裝:DO-213AA 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N5195 功能描述:DIODE GEN PURP 180V 200MA DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:180V 電流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25nA @ 180V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N5194UR 功能描述:DIODE GEN PURP 70V 200MA DO213AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:70V 電流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25nA @ 70V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AA（玻璃）供應商器件封裝:DO-213AA 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N5194 功能描述:DIODE GEN PURP 70V 200MA DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:70V 電流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25nA @ 70V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N5190 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 9A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:400ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 600V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:B，軸向供應商器件封裝:- 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N5221BDO35 1N5221BDO35E3 1N5221B-T 1N5221BTA 1N5221B-TAP 1N5221B-TP 1N5221B-TR 1N5221BUR-1 1N5221C-TAP 1N5221C-TR 1N5222A 1N5222A (DO-35) 1N5222B 1N5222B (DO-35) 1N5222B A0G 1N5222B BK 1N5222B TR 1N5222B_T50A