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1N5227BAMO

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1N5227BAMO 技術(shù)參數(shù)
  • 1N5227B_T50R 功能描述:DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過(guò)期 電壓 - 齊納（標(biāo)稱(chēng)值）（Vz）:3.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:24 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:15μA @ 1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 1N5227B_T50A 功能描述:DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):過(guò)期 電壓 - 齊納（標(biāo)稱(chēng)值）（Vz）:3.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:24 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:15μA @ 1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 1N5227B TR 功能描述:DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱(chēng)值）（Vz）:3.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:24 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:15μA @ 1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5227B A0G 功能描述:DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱(chēng)值）（Vz）:3.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:24 Ohms 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:15μA @ 1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:1.1V @ 200mA 工作溫度:100°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 1N5227B (DO-35) 功能描述:DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱(chēng)值）（Vz）:3.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:24 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:15μA @ 1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5227DO35E3 1N5227TA 1N5228A 1N5228A (DO-35) 1N5228B 1N5228B (DO-35) 1N5228B A0G 1N5228B BK 1N5228B TR 1N5228B_S00Z 1N5228B_T50A 1N5228B_T50R 1N5228BDO35E3 1N5228B-T 1N5228BTA 1N5228B-TAP 1N5228B-TP 1N5228BTR
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