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1N5228-BP

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  • 制造商
  • MCC
  • 制造商全稱
  • Micro Commercial Components
  • 功能描述
  • 500 mW Zener Diode 2.4 to 75 Volts
1N5228-BP 技術參數
  • 1N5228BDO35E3 功能描述:DIODE ZENER 3.9V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):3.9V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):23 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5228B_T50R 功能描述:DIODE ZENER 3.9V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):3.9V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):23 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 1N5228B_T50A 功能描述:DIODE ZENER 3.9V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:過期 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):3.9V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):23 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 1N5228B_S00Z 功能描述:DIODE ZENER 3.9V 500MW 5% DO-35 制造商:on semiconductor 系列:- 零件狀態:停產 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):3.9V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):23 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1,000 1N5228B TR 功能描述:DIODE ZENER 3.9V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):3.9V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):23 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5228C-TR 1N5228TA 1N5229A 1N5229A (DO-35) 1N5229B 1N5229B (DO-35) 1N5229B A0G 1N5229B TR 1N5229B_S00Z 1N5229B_T26A 1N5229B_T50A 1N5229B_T50R 1N5229B-T 1N5229BTA 1N5229B-TAP 1N5229B-TP 1N5229BTR 1N5229B-TR
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