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1N5229B.

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  • 1N5229B.TR
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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

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  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

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  • 制造商
  • Fairchild Semiconductor Corporation
  • 功能描述
  • Zener Diode
  • 制造商
  • Fairchild Semiconductor Corporation
  • 功能描述
  • ZENER DIODE, 500mW, 4.3V, DO-35
1N5229B. 技術參數(shù)
  • 1N5229B TR 功能描述:DIODE ZENER 4.3V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):4.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):22 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5229B A0G 功能描述:DIODE ZENER 4.3V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):4.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):22 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.1V @ 200mA 工作溫度:100°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5229B (DO-35) 功能描述:DIODE ZENER 4.3V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):4.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):22 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5229B 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售 標準包裝:1 1N5229A (DO-35) 功能描述:DIODE ZENER 4.3V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):4.3V 容差:±10% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):22 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5229B-TR 1N5229BUR-1 1N5229C 1N5229C-TAP 1N5229C-TR 1N5229DO35E3 1N5229TA 1N5230A 1N5230A (DO-35) 1N5230B 1N5230B (DO-35) 1N5230B A0G 1N5230B BK 1N5230B TR 1N5230B_S00Z 1N5230B_T26A 1N5230B_T50A 1N5230B_T50R
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