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1N5230A(DO-35)

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  • 制造商
  • MICROSEMI
  • 制造商全稱
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • Zener Voltage Regulator Diode
1N5230A(DO-35) 技術參數
  • 1N5230A (DO-35) 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:4.7V 容差:±10% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:19 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50μA @ 1.9V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5230A 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售 標準包裝:1 1N5229TA 功能描述:DIODE ZENER 4.3V 500MW DO35 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:4.3V 容差:- 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:22 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 950mV 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 1N5229DO35E3 功能描述:DIODE ZENER 4.3V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:停產 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:4.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:22 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5229C-TR 功能描述:DIODE ZENER 4.3V 500MW DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:4.3V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:22 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 1N5230BDO35 1N5230B-T 1N5230BTA 1N5230B-TAP 1N5230B-TP 1N5230BTR 1N5230B-TR 1N5230C-TAP 1N5230C-TR 1N5230TA 1N5231A 1N5231A (DO-35) 1N5231B 1N5231B (DO-35) 1N5231B A0G 1N5231B BK 1N5231B TR 1N5231B_NT50A
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