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1N5260B A0G

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功能描述
DIODE ZENER 43V 500MW DO35
制造商
taiwan semiconductor corporation
系列
-
包裝
帶盒（TB）
零件狀態
在售
電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）
43V
容差
±5%
功率 - 最大值
500mW
阻抗（最大值）（Zzt）
93 Ohms
不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流
100nA @ 33V
不同 If 時的電壓 - 正向（Vf
1.1V @ 200mA
工作溫度
100°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
DO-204AH，DO-35，軸向
供應商器件封裝
DO-35
標準包裝
5,000

1N5260B A0G 技術參數

1N5260B (DO-35) 功能描述:DIODE ZENER 43V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:43V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:93 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 33V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5260B 功能描述:DIODE ZENER 43V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:43V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:93 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 33V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1,000 1N5260A (DO-35) 功能描述:DIODE ZENER 43V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:43V 容差:±10% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:93 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 31V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5260A 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 1N5259TA 功能描述:DIODE ZENER 39V 500MW DO35 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:39V 容差:- 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:80 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 30V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 1N5260B-TAP 1N5260B-TP 1N5260B-TR 1N5260BUR-1 1N5260C-TAP 1N5260C-TR 1N5260TA 1N5261A 1N5261A (DO-35) 1N5261A(DO-35) 1N5261B 1N5261B (DO-35) 1N5261B A0G 1N5261B BK 1N5261B TR 1N5261B_T50A 1N5261B_T50R 1N5261B-T