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1N5267B_T50A

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功能描述
穩(wěn)壓二極管
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
齊納電壓
12 V
電壓容差
5 %
電壓溫度系數(shù)
0.075 % / K
齊納電流
功率耗散
3 W
最大反向漏泄電流
3 uA
最大齊納阻抗
7 Ohms
最大工作溫度
+ 150 C
安裝風(fēng)格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
DO-214AC
封裝
Reel

1N5267B_T50A 技術(shù)參數(shù)

1N5267B TR 功能描述:DIODE ZENER 75V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:75V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:270 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 56V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5267B BK 功能描述:DIODE ZENER 75V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:75V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:270 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 56V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 1N5267B (DO-35) 功能描述:DIODE ZENER 75V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:75V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:270 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 56V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5267B 功能描述:DIODE ZENER 75V 500MW DO35 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:75V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:270 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 53V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 1N5267A (DO-35) 功能描述:DIODE ZENER 75V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:75V 容差:±10% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:270 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 53V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5268A (DO-35) 1N5268B (DO-35) 1N5268B AP 1N5268B BK 1N5268B TR 1N5268BDO35 1N5268B-TP 1N5268BUR-1 1N5269A 1N5269A (DO-35) 1N5269A(DO-35) 1N5269B (DO-35) 1N5269B-TP 1N5269BUR-1 1N5270A 1N5270A (DO-35) 1N5270B (DO-35) 1N5270BDO35