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1N5359BTR

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制造商
MICROSEMI
制造商全稱
Microsemi Corporation
功能描述
Silicon 5 Watt Zener Diodes

1N5359BTR 技術(shù)參數(shù)

1N5359B-TP 功能描述:DIODE ZENER 24V 5W DO15 制造商:micro commercial co 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:24V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:3.5 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 18.2V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AC，DO-15，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-15 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5359BRLG 功能描述:DIODE ZENER 24V 5W AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:24V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:3.5 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 18.2V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:T-18，軸向供應(yīng)商器件封裝:軸向標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5359BRL 功能描述:DIODE ZENER 24V 5W AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:24V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:3.5 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 18.2V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:T-18，軸向供應(yīng)商器件封裝:軸向標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 1N5359BG 功能描述:DIODE ZENER 24V 5W AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:24V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:3.5 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 18.2V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:T-18，軸向供應(yīng)商器件封裝:軸向標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 1N5359BE3/TR8 功能描述:DIODE ZENER 24V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:24V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:3.5 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 17.3V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:T-18，軸向供應(yīng)商器件封裝:T-18 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 1N5360/TR8 1N5360A/TR12 1N5360A/TR8 1N5360AE3/TR12 1N5360AE3/TR13 1N5360AE3/TR8 1N5360B 1N5360B/TR12 1N5360B/TR8 1N5360BE3/TR12 1N5360BE3/TR13 1N5360BE3/TR8 1N5360BG 1N5360BRL 1N5360BRLG 1N5360B-TP 1N5360C/TR12 1N5360C/TR8