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1N5529DTR-1

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制造商
MICROSEMI
制造商全稱
Microsemi Corporation
功能描述
Low Voltage Surface Mount 500 mW Avalanche Diodes

1N5529DTR-1 技術(shù)參數(shù)

1N5529BUR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售標準包裝:1 1N5529B (DO35) 功能描述:DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:9.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:45 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 8.2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5529B 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售標準包裝:1 1N5528BUR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售標準包裝:1 1N5528B (DO35) 功能描述:DIODE ZENER 8.2V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:8.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:40 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 7.5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5533B 1N5533BUR-1 1N5534B 1N5534BUR-1 1N5535B 1N5535BUR-1 1N5536B 1N5536BUR-1 1N5537B 1N5537BUR-1 1N5538B 1N5538BUR-1 1N5539B 1N5539BUR-1 1N5540B 1N5540BUR-1 1N5541B 1N5542B