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1N5616UL

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  • 制造商
  • SENSITRON
  • 制造商全稱
  • Sensitron
  • 功能描述
  • HERMETIC AXIAL LEAD / MELF GENERAL PURPOSE RECTIFIER
1N5616UL 技術參數(shù)
  • 1N5616C.TR 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL 制造商:semtech corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售 標準包裝:1 1N5616 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):400V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.3V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):2μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 400V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:A,軸向 供應商器件封裝:* 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 200°C 標準包裝:1 1N5615US/TR 功能描述:UFR,FRR 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.6V @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):150ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 200V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:45pF @ 12V,1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF,A 供應商器件封裝:D-5A 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標準包裝:100 1N5615US 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A D5A 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.6V @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):150ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 200V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:45pF @ 12V,1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF,A 供應商器件封裝:D-5A 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N5615GPHE3/54 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):150ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 200V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:25pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AC,DO-15,軸向 供應商器件封裝:DO-204AC(DO-15) 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標準包裝:4,000 1N5618GPHE3/54 1N5618US 1N5619 1N5619GP-E3/54 1N5619GP-E3/73 1N5619GPHE3/54 1N5619US 1N5620 1N5620C.TR 1N5620GPHE3/54 1N5620GPHE3/73 1N5620US 1N5621 1N5621GP-E3/54 1N5621GP-E3/73 1N5621GPHE3/54 1N5621US 1N5622
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