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1N5616USX

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1N5616USX 技術參數

1N5616US 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 1A D5A 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:2μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 400V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，A 供應商器件封裝:D-5A 工作溫度 - 結:-65°C ~ 200°C 標準包裝:1 1N5616C.TR 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL 制造商:semtech corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 1N5616 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:2μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 400V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:A，軸向供應商器件封裝:* 工作溫度 - 結:-65°C ~ 200°C 標準包裝:1 1N5615US/TR 功能描述:UFR,FRR 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.6V @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:150ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:45pF @ 12V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，A 供應商器件封裝:D-5A 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:100 1N5615US 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A D5A 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.6V @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:150ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:45pF @ 12V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，A 供應商器件封裝:D-5A 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N5618US 1N5619 1N5619GP-E3/54 1N5619GP-E3/73 1N5619GPHE3/54 1N5619US 1N5620 1N5620C.TR 1N5620GPHE3/54 1N5620GPHE3/73 1N5620US 1N5621 1N5621GP-E3/54 1N5621GP-E3/73 1N5621GPHE3/54 1N5621US 1N5622 1N5622C.TR