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1N5624TR

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

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  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

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1N5624TR 技術參數
  • 1N5624-TAP 功能描述:DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:有效 二極管類型:雪崩 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 電流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):7.5μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 200V 不同?Vr,F 時的電容:60pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SOD-64,軸向 供應商器件封裝:SOD-64 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:2,500 1N5624GPHE3/54 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 電流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):3μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 200V 不同?Vr,F 時的電容:40pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD,軸向 供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1,400 1N5624GP-E3/73 功能描述:DIODE GEN PURPOSE DO204AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:* 零件狀態:停產 標準包裝:2,000 1N5624GP-E3/54 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 電流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):3μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 200V 不同?Vr,F 時的電容:40pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD,軸向 供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N5623US 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):1000V(1kV) 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.6V @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):500ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 1000V 不同?Vr,F 時的電容:15pF @ 12V,1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF,A 供應商器件封裝:D-5A 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N5626-TAP 1N5626-TR 1N5627GP-E3/54 1N5627GP-E3/73 1N5627GPHE3/54 1N5627-TAP 1N5627-TR 1N5629 1N5629A 1N5630 1N5630A 1N5631 1N5631A 1N5632 1N5632A 1N5633 1N5633A 1N5634
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