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1N5625GP/70

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1N5625GP/70 技術參數
  • 1N5624-TR 功能描述:DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 二極管類型:雪崩 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:7.5μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:60pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SOD-64，軸向 供應商器件封裝:SOD-64 工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N5624-TAP 功能描述:DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態:有效 二極管類型:雪崩 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:7.5μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:60pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SOD-64，軸向 供應商器件封裝:SOD-64 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:2,500 1N5624GPHE3/54 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:過期 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:3μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:40pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD，軸向 供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1,400 1N5624GP-E3/73 功能描述:DIODE GEN PURPOSE DO204AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:* 零件狀態:停產 標準包裝:2,000 1N5624GP-E3/54 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:3μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:40pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD，軸向 供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N5626-TR 1N5627GP-E3/54 1N5627GP-E3/73 1N5627GPHE3/54 1N5627-TAP 1N5627-TR 1N5629 1N5629A 1N5630 1N5630A 1N5631 1N5631A 1N5632 1N5632A 1N5633 1N5633A 1N5634 1N5634A
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